Curriculum Vitae

Conteúdo actualizado em 06-11-2015

Laboratório de Aceleradores e Tecnologias de Radiação (LATR)

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Nome: Katharina
Apelido: Lorenz
Local/Data de Nascimento: 03-01-1974, Moscovo/Russia
Nacionalidade: Alemã

Telef.: 21 994 6056
Fax: 21 994 6285
E-mail: lorenz (add @ctn.tecnico.ulisboa.pt)

Habilitações Literárias

  • 07/2002 – Doutorada em Física, Univ. Bona, Alemanha.
  • 12/1998 – Licenciada em Física, Univ. Bona, Alemanha.

Carreira Profissional

  • Desde 03/2008 - Investigadora Auxiliar (contracto de 5 anos), Grupo de Investigação de Materiais Avançados (GIMA), Laboratório de Feixe de Iões (LFI), Unidade de Física e Aceleradores (UFA), ITN, Sacavém, Portugal (ITN/IST, desde Março de 2012).
  • 10/2005-02/2008 – Estudante Pós-dout., Instituto Tecnológico e Nuclear (ITN), Sacavém, Portugal.
  • 01/1999-07/2002 – Professora Assistente, Univ. Bona, Alemanha (durante o trabalho de pós-doutoramento).

Cursos e Estágios

  • 10/2005-02/2008 – Estudante de Pós-dout., Fundação para a Ciência e Tecnologia (FCT), ITN, Sacavém, Portugal.
  • 10/2002-09/2005 – Estudante de Pós-dout., European Research & Training Network RENIBEL (HPRN-CT-2001-00297), ITN, Sacavém, Portugal.
  • 01/1998-07/1998 – Estudante ERASMUS, Université Claude Bernard, Lyon, França.

Especialização Científica

  • Física.

Áreas de Investigação

  • Estudo de semi-condutores. Implantação iónica.

Trabalhos de Investigação

  • Tese de doutoramento: "Implantation studies in Group-III Nitrides". Universidade de Bona, Alemanha (2002).
  • Tese de licenciatura: "Investigations on the diffusion of iodine in GaAs", University of Bona, Alemanha (1998).
  • Autora ou co-autora de mais de 60 publicações originais com "referee".
  • mais de 50 apresentações e comunicações orais em conferências nacionais e internacionais.

Participação em Projectos

  • Member of team in the European Research and Training Network RENIBEL (HPRN-CT-2001-00297); 2002-2005.
  • Coordinator of the project "Optical doping of AlN and GaN/AlN nanostructures by ion implantation" funded by FCT (POCI/FIS/57550/2004); 2005-2008.
  • Member of team in project “Perturbed Angular Correlation Experiments at the Portuguese Research Reactor” funded by FCT (POCI/FIS/58498/2004); 2005-2008.
  • Coordinator of the bilateral project "Doping of GaN-based nanostructures by ion-implantation" with the University of Bonn (DAAD (Germany) / GRICES (Portugal)); 2005-2007.
  • Coordinator of the project "Ternary and quaternary nitride alloys for lattice matched heterostructures: Novel materials for high efficiency field effect transistors and optoelectronic devices" funded by FCT (PTDC/FIS/65233/2006); 2007-2010.
  • Member of team in project “Ion-implanted magnetic nanolayers of wide band gap semiconductors for spintronics applications” funded by FCT (PTDC/FIS/66262/2006); 2007-2010.
  • Coordinator of the bilateral project "Rare Earth doped GaN quantum dots for efficient light emitters " with the CEA-Grenoble (EGIDE (France) / GRICES (Portugal)); 2008-2009.
  • Member of team in project “Experiências de Correlações Angulares Perturbadas e de Canalização de Electrões no ISOLDE-CERN” funded by FCT (POCI/FP/81921/2007); 2007-2008.

5 Publicações Seleccionadas

  • "Reversible changes in the lattice site structure for In implanted into GaN", K. Lorenz, F. Ruske, R. Vianden, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4531.
  • "High temperature annealing and optical activation of Eu implanted GaN", K. Lorenz, U. Wahl, E. Alves, S. Dalmasso, R. W. Martin, K. P. O’Donnell, S. Ruffenach, O. Briot, Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2712.
  • "Damage formation and annealing at low temperatures in ion implanted ZnO", K. Lorenz, E. Alves, E. Wendler, O. Bilani, W. Wesch, M. Hayes, Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 191904. 
  • "High temperature annealing of rare earth implanted GaN films: Structural and optical properties", K. Lorenz, U. Wahl, E. Alves, E. Nogales, S. Dalmasso, R. W. Martin, K. P. O’Donnell, M. Wojdak, A. Braud, T. Monteiro, T. Wojtowicz, P. Ruterana, S. Ruffenach, O. Briot, Optical Materials 28 (2006) 750.
  • "Anomalous Ion Channeling in AlInN/GaN Bilayers: Determination of the Strain State",  K. Lorenz, N. Franco, E. Alves, I. M. Watson, R. W. Martin, K. P. O’Donnell, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 85501.
  • "Strain relaxation during AlInN growth on GaN", K. Lorenz, N. Franco, E. Alves, S. Pereira, I. M. Watson, R. W. Martin, K. P. O’Donnell, J. of Crystal Growth 310 (2008) 4058.

Comunicações em Conferências Internacionais

  • "High Temperature Annealing of Rare Earth Implanted GaN-Films: Structural and   Optical Properties", Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), Strasbourg, France,  May 31 – June 3, 2005, Symposium C: Rare earth doped photonic materials, K. Lorenz, U. Wahl, E. Alves, E. Nogales, S. Dalmasso, R. W. Martin,  K. P. O’Donnell, T. Wojtowicz, P. Ruterana, S. Ruffenach, O. Briot.
  • "RBS/Channelling analysis of GaN quantum dots in AlN Multilayers", XVII International Conference on Ion Beam Analysis (IBA), Seville, Spain, June 26 – July 1, 2005, K. Lorenz, N. P. Barradas, E. Alves, D. Jalabert, B. Daudin.
  • "Rare Earth implantation of III-nitride semiconductors for light emission from IR to UV", 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM  2008), Dresden, Germany, August 31 - September 05, 2008, K. Lorenz, E. Alves, F. Gloux, P. Ruterana, M. Peres, T. Monteiro, K. Wang, I. S. Roqan,  E. Nogales, R.W. Martin, K.P. O’Donnell.